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EtchantEtch rate ratioEtch rate(absoluteAdvantages(+)Disadvantages(-)( ）/(111)(110)/(111)( )Si3N4SiO2KOH(44%，珠海非标生产等离子清洗机腔体在线咨询85℃)3006o01.4μm/min<0.1nm/min<1.4nm/min(-)metal ion containing(+)strongly anisotropicTMAH(25%，80 ℃)3768o.3-1μm/min<0.lnm/tmin<0.2nm/min(-)weak anisotropic(+)metal ion IreeEDP(115℃)20101.25μm/mino.1nm/min0.2nm/min(-)weak anisotropic，toxic(+)metal ion free，metallichard masks possible。

蚀刻避免了二次条纹现象。此外，珠海非标加工等离子清洗机腔体专业团队低偏置/源功率比也改善了第二边缘现象。这是因为偏压功率主要控制等离子体中的离子加速度，源功率控制等离子体浓度，低偏压功率控制等离子体中的离子加速度。等离子体。设定的功率可以降低离子的冲击能量，高的源功率增加了大气等离子清洗机中等离子的密度，增加了离子自身之间的碰撞率，削弱了离子的方向。弱化等离子和等离子。同时，高源功率分解更多[C]并产生更多聚合物。

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