CCP除胶（CCP除胶机器）CCP除胶设备

市面上的真空等离子体清洗设备大多是电容耦合放电，CCP除胶也就是CCP放电，大家购买使用的等离子体处理设备相信也大多是这种放电形式。在这类器件中，电极相当于电容器，通常成对，包括水平电极、垂直电极、组合电极等。无论是采用13.56MHz射频激励还是40kHz中频激励，等离子体发生器在一定真空环境下对电极施加能量时，电极之间会产生电位差，激发气体产生等离子体。

采用ICCD高速摄影机拍摄DBD放电侧面图像，CCP除胶设备下电极采用ITO透明电极，45°；借助平面镜头，可以拍摄放电区的底部。测量的外加电压Va、总放电电流Vi和计算的气隙电压Vg波形，其中测量的准正弦虚线为外加电压波形，细实线为电流波形。在等离子体刻蚀机中，每半周外加电压存在一个电流脉冲，这是大气压介质阻挡均匀放电的典型特征。

2004年辞去应用材料公司副总裁职务回国在上海创办中微半导体设备股份有限公司目前研发的等离子体清洗机CCP刻蚀机具有超高频低频混合射频解耦反应等离子体源和独特的多反应室双反应台系统，CCP除胶在刻蚀28nm逻辑低介电材料和存储器介电材料方面取得突破性进展，进入市场。

一般包括以下程序：a.无机蒸气被激发成等离子体；b.气相在固体表面的吸附；吸附基团与固体表面分子反应生成产物分子；产物分子被分解形成（相：E.反应残留物从表面分离）。等离子体清洗法的工艺参数为：室压10-40mL托，CCP除胶蒸汽流量-500sccm，时间间隔1-5s。

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射频电磁场的能量耦合效率和等离子体的均匀性很大程度上取决于射频激励电极、线圈或天线的设计。工业上使用的两种典型RF等离子体发生器是图(a)所示的电容耦合等离子体(CCP)发生器和图(b)所示的电感耦合等离子体(ICP)或变压器耦合等离子体(TCP)发生器。在低压下更容易产生大面积的低温非热平衡等离子体。低气动放电系统通常由真空室（典型尺寸为几厘米）、气体分配系统和馈电的电极（或天线）组成。

2015年初，SEMI在教导美国政府修改半导体设备出口管制清单方面取得突破：承认我国存在各向异性等离子刻蚀设备，美国国安出口取消了这一长达20年的管制（专业光伏媒体/世纪新能源网）。这也与中微半导体公司等离子清洗机CCP机的命中市场、北方微电子公司逻辑28nm硅刻蚀的历史性突破密切相关。。成就-等离子-等离子技术打动美国汽车行业为了遵守日益严格的环境法规，智能轻量化设计解决方案对汽车行业至关重要。

长期从事等离子体应用技术研发和设备技术创新，充分结合欧美先进新技术，通过与国内外知名研发机构的新技术合作，创新出电容耦合放电、CC、远距离放电等多种自主知识产权放电产品。它具有独特的腔体形状和电极结构，可满足薄膜、织物、零件、粉末、颗粒等不同材料的表面处理要求。。在半导体生产过程中，每一道工序都需要清洗，晶圆清洗的质量严重影响设备的功能。

还有研究表明，氧等离子体对厚层石墨烯的刻蚀更有效，且氧等离子体刻蚀石墨烯的速率快，对厚多层石墨烯更有效。线与间隙均为20亩；利用M的图形来检测刻蚀效果。本文所用的石墨烯生长在厚度为50nm的二氧化硅上。蚀刻条件为：氧气70sccm，氩气30sccm，偏压150W，压力55mT，两层旋涂20mU光刻胶；M厚AZ4620。

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柔性印制电路(FPC)是一种由聚酰亚胺或聚酯薄膜制成的柔性印制电路板，CCP除胶机器具有高可靠性和良好的柔性。具有布线密度高、重量轻、厚度薄、弯曲性好等特点，完美契合轻薄化、小型化的发展主题。FPC行业由日本、美国和韩国主导。近年来，生产成本的增加促使FPC行业重心逐渐向中国转移。FPC位于电子产业链的中上游，其直接原材料上游为柔性覆铜板FCCL，下游为终端消费类电子产品。