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因此，中框蚀刻主刻蚀步骤通常使用C/F比高的刻蚀气体，这些气体更容易产生聚合物，如C4F8、C4F6、CH2F2等，通过对主刻蚀步骤工艺参数的研究，结果表明，CxFy/O2比越高，第二条越轻，这是由于CxFy的增加，会产生大量聚合物；同时，随着O2用量的减少，反应产生的聚合物会被解离，去除率大幅降低，使光致抗蚀剂表面积累的聚合物不断增加，可以完美保护介电材料免受大气等离子体清洁剂等离子体的轰击或化学蚀刻，从而避免第二次条纹现象。

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真空离子清洗机的两个电极形成电磁场，用真空泵实现一定的真空度，随着气体越来越稀薄，分子之间的距离和分子或郭的自由运动距离越来越长，在磁场作用下，碰撞形成等离子体，同时会产生辉光，等离子体在电磁场中运动，轰击被处理物体表面，以去除表面油污和表面氧化物，灰化表面有机物和其他化学物质，从而达到表面处理、清洁和蚀刻的效果。通过等离子体处理工艺可以实现选择性表面改性。

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