PFCplasma蚀刻（PFCplasma蚀刻机器）

为此，PFCplasma蚀刻机器为解决氮化钛残留量与选择性比的冲突，提出了有机底物部分脱除方案。该方案通过控制有机衬底的打开时间，在沟槽中留下足够的有机物来保护底部氮化钛，避免了刻蚀方向性和选择比这两个要求之间的冲突。因此，可采用低选择性蚀刻配方CF4/CHF3，在光刻胶未覆盖区域同时蚀刻氧化硅、侧壁氮化钛和沟槽中的有机物，然后以等离子体清洁器和等离子体表面处理器Cl2为主要蚀刻气体跟随过蚀刻步骤，去除可能残留的氮化钛。

ESCA和润湿实验结果表明，PFCplasma蚀刻等离子体处理PET和尼龙-6表面的-COOH和-OH基团浓度和表面力随热处理而急剧下降；聚酰亚胺和聚苯硫醚的表面张力降低，但表面-COOH和-OH基团的浓度变化不大。这也从一个侧面说明，聚合物分子链运动的困难也是影响处理效果下降速度的重要因素。高分子材料的表面粗糙度和微观形貌也会影响其润湿性[16]。等离子体物理蚀刻表面所引起的润湿性变化也会随着分子链的运动而缓慢下降。

进一步增加氯气的流量，PFCplasma蚀刻会加速锗合金的侧向蚀刻形成底部加合的形貌，这也说明高活性化学蚀刻气体在蚀刻锗时更有效，不会损失太多光刻胶，以达到保证侧壁轮廓曲线的效果。另一种以含氟气体蚀刻为主，主要蚀刻剂为CF4，产物为GeF4，易挥发。我们可以得到一个非常平滑的图形地形。加氧可以调节锗对其合金的选择性比，可高达434。

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PFCplasma蚀刻

电子摆脱原子或分子的吸引，可以通过电子的碰撞来传递能量。等离子体和固体、液体或气体一样，是物质的一种状态。向气体施加足够的能量使其解离成等离子体状态。等离子体的“活性”成分包括：离子、电子、活性基团、激发核素（亚稳态）、光子等。可以通过纳米级清洗、活化表面润湿性、化学接枝、涂层沉积等多种表面处理来控制和控制这些活性组分聚集后的性能。利用等离子体的高化学活性，在不影响基底的情况下改变表面性质。

干式等离子清洗机清洗可以取代传统繁琐的化学溶剂，绿色环保；近年来，市场对质量的要求越来越高，同时对环保的要求也越来越严格，我国许多高密度清洗行业都面临着严峻的挑战，可以说是一场全新的革命。面对现状，一些氯代烃类清洗剂、水性清洗剂和烃类溶剂作为干式等离子清洗机的替代品出现。由于溶剂毒性大、水处理繁琐、清洗效果差、干燥困难、安全性差，阻碍了国内清洗行业的发展。

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表面等离子刻蚀机采用性能优异的等离子脱粘元件和软件，可以方便地控制工艺参数，过程监控和数据采集软件可以实现严格的质量控制，该技术已经取得成功。适用于功率晶体管、模拟器件、传感器、光学器件、光电子器件、电子器件、MOEMS、生物器件、LED等领域。上述发现表明，硅片表面在未处理前残留大量光刻胶，经表面等离子体刻蚀机处理后，表面光刻胶全部去除，效果很好。。

PFCplasma蚀刻机器