外延片plasma清洗设备（外延片plasma蚀刻设备）

等离子清洗的优点 等离子清洗的优点： 辉光等离子清洗机的优点 1、等离子清洗后，外延片plasma蚀刻设备待清洗的物体干燥，无需进一步干燥即可送入下一道工序。可以提高整个工艺线的加工效率。 2.等离子清洗避免了有害溶剂对人体的伤害，避免了被清洗物容易被湿法清洗的问题。 3.避免使用 ODS，例如三氯乙烷。这种清洗方法属于环保绿色清洗方法，因为有害溶剂可以防止清洗后有害污染物的产生。随着世界对环境保护的极大兴趣，这一点变得越来越重要。

超低温等离子体装置的低温等离子体技术主要有电子束照射法、介质阻挡放电法、沿面放电法、电晕放电法等。介质阻挡放电法是高压下的非平衡放电过程。介质阻挡放电法是一种有效、方便的产生等离子体的技术方法。低温等离子体技术在处理挥发性有机化合物方面具有独特的性能，外延片plasma蚀刻设备具有非常广泛的未来研究前景。在超低温等离子体装置中挥发性有机物的低温等离子体处理中，反应器的电源主要是工频电源。从提高处理效率的角度，可以考虑高频电源。

25ML/分钟速度。从表3-4可以看出，外延片plasma蚀刻设备C2H4和C2H2的选择性随着CO2的增加和添加量的增加而单调下降。因此，乙烷的转化率随着CO2添加量的增加而增加，但C2H4和C2H2的总收率增加。峰形发生变化。当 CO2 添加量为 50% 时出现极值。另一方面，活性氧进一步与乙烯和乙炔反应以裂解CH键并形成CO和碳沉积物。当 CO2 的添加量很大时，这种现象尤其明显。

CH4 + E * & MDASH;> CH3 + H + E (3-1) CH3 + E * & MDASH;> CH2 + H + E (3-2) CH2 + E * & MDASH;> CH + H + E (3-3) CH + E * & MDASH;> C + H + E (3-4) CH4 + E * & MDASH;> CH2 + 2H (H2) + E (3-5) CH4 + E * & MDASH;> CH + 3H (H2 + H) + E (3-6) CH4 + E * & MDASH; C + 4H (2H2) + E (3-7) 自由基和下一个产品 A 之间的耦合发生反应。

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表面涂有各种材料，以达到疏水性（疏水性）、吸湿性（吸湿性）、疏油性（耐油性）和疏油性（耐油性）。。等离子发生器能量密度对H2气氛中C2H6脱氢反应的影响影响。 C2H6脱氢反应：随着H2浓度的增加，C2H6的转化率和C2H2、C2H4、CH4的收率均增加。这表明H2的加入有利于C2H6的转化以及C2H2和C2H4的生成。 CH4。

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