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Inductively Coupled Plasma

行业应用■  半导体硅片PN结的去除 ■   PSS 的蚀刻 ■   LED 的蚀刻 ■   ITO 膜的蚀刻 ■   硅晶片的蚀刻与表面有机物的清洗 

“IC等离子清洗机/

一、简介


1.1 概要

JL-VMI-060真空等离子体清洗机(Vacuum Plasma cleaner),腔体容积为60L。专为半导体设计的专用清洗机.是一款以电能将气体转化为活性极高的气体等离子体,气体等离子体能轻柔冲刷固体样品表面,引起分子结构的改变,从而达到对样品表面有机污染物进行超清洗,在极短时间内有机污染物就被外接真空泵彻底抽走,其清洗能力可以达到分子级。在一定条件下还能使样品表面特性发生改变。因采用气体作为清洗处理的介质,所以能有效避免样品的再次污染。

1.2 产品特点

军工级硬件设计,使用环境温度范围可达到-25-50℃,适应不同的严苛场景,MTBF(平均无故障时间)时间可达到190Khrs MIL-HDBK-217F(25℃);

采用Ti品牌的移相全桥软开关电路,相对模拟硬开关电路效率可提高10%以上,响应时间小于1s,抗干扰性强;

具有过温防护、过载防护、短路、断路、过载、漏电防护、各种误操作保护等防护功能。

设计小巧,搬运方便。

1.3行业应用

  半导体硅片PN结的去除

   PSS 的蚀刻

   LED 的蚀刻

   ITO 膜的蚀刻

   硅晶片的蚀刻与表面有机物的清洗

 

1.4设备原理

在真空状态下(约 10~100pa 给气体施加电场同, 气体在电场提供的能量下会由气
态转变为等离子体状态(也称物质的“第四态” ) , 其中含有大量的电子、 离子、 光
子和各类自由基等活性粒子, 比通常的化学反应所产生的活性粒子种类更多、 活性更
强, 更易于和所接触的材料表面发生反应, 等离子体表面改性技术就是利用这些高能
粒子和活性粒子与材料表面发生物理或化学的反应, 从而达到改变材料表面性质的目
的。
运用等离子体的特殊化学物理特性, 等离子清洗设备的主要用途如下:
1. 去除灰尘和油污、 去静电;
2. 提高表面浸润功能, 形成活化表面;
3. 提高表面附着能力、 提高表面粘接的可靠性和持久性;
4. 刻蚀物的处理作用


一、规格

2.1设备腔体尺寸


整机支架规格

外形尺寸

950×1700×1000mm(宽×高×深)

整机重量

1300KG

真空腔参数

真空腔大小

400*400*370 mm

真空腔材料

航空铝

极限真空

5Pa

真空腔门

航空铝

真空泵

干泵

技术参数

等离子功率

0~1000W可调,频率13.5MHz

工艺气体

4路,CF4 SF6 O2 N2 Ar H2 等任选

气体流量

0~600SCCM

清洗时间

1~99999秒可调

控制方式

PLC+触控屏

输入电源

AC380V,50/60Hz

冷却方式

风冷

控制方式

可本地控制

检测功能

气压检测、门检测

保护防护

过温防护、过载防护、短路、断路、各种误操作保护

 

 

 

2.2厂务规格要求

厂务规格要求 

交流电源规格

电源:AC380V,50/60Hz,5 线,20A

 

厂务排气

流 量 :25L/min

材质:耐腐蚀材质

 

 

厂务压缩空气要求

0.45~0.55Mpa

 

2.3 一般规格

一般规格

危险标识

高压危险标识

使用环境

温度:15~30℃

湿度:30~80%

其他注意事项

不可有可燃性气体,腐蚀性气体,爆炸或反应性粉尘

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.4,设备组成简介

等离子清洗机由反应腔(又称真空腔) 真空系统、 放电系统、电控系统、 进气流量控制系统组成。本设备采用触摸屏+PLC 可编程控制器, 处理参数可以在触摸屏上任意设定, 具有手动/自动切换功能。 自动操作采用“一键式” , 工作过程完全由计算机自动控制完成。 手动操作由用户在手动模式界面上自行完成.(见下图


一、服务范围

1. 保质期1年,保质期内,在正常使用情况下无偿更换损坏的零部件

2. 若操作在设备不能符合范围内,导致相关零部件损坏,敝公司不负责赔偿责任

3. 遇地震、火灾、台风、海啸等不可抗力灾害导致设备损坏,敝公司不负责赔偿责任

4. 非使用原厂零部件直接或间接造成设备损坏时,敝公司不负责赔偿责任

5. 若因设计不当,造成设备有损坏或瑕疵,敝公司无偿更换瑕疵或损坏的零部件

6. 质保期后,贵公司需自行负责更换零部件所需的耗材及服务费用。

 

 

  


 


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