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Inductively Coupled Plasma

行业应用■ 半导体硅片PN结的去除 ■ PSS 的蚀刻 ■ LED 的蚀刻 ■ ITO 膜的蚀刻 ■ 硅晶片的蚀刻与表面有机物的清洗

产品详情

“IC等离子清洗机/

一、简介

1.1 概要

JL-VMI-060真空等离子体清洗机(Vacuum Plasma cleaner)，腔体容积为60L。专为半导体设计的专用清洗机.是一款以电能将气体转化为活性极高的气体等离子体，气体等离子体能轻柔冲刷固体样品表面，引起分子结构的改变，从而达到对样品表面有机污染物进行超清洗，在极短时间内有机污染物就被外接真空泵彻底抽走，其清洗能力可以达到分子级。在一定条件下还能使样品表面特性发生改变。因采用气体作为清洗处理的介质，所以能有效避免样品的再次污染。

1.2 产品特点

u 军工级硬件设计，使用环境温度范围可达到-25℃-50℃，适应不同的严苛场景，MTBF（平均无故障时间）时间可达到≥190Khrs MIL-HDBK-217F(25℃)；

u 采用Ti品牌的移相全桥软开关电路，相对模拟硬开关电路效率可提高10%以上，响应时间小于1s，抗干扰性强；

u 具有过温防护、过载防护、短路、断路、过载、漏电防护、各种误操作保护等防护功能。

u 设计小巧，搬运方便。

1.3行业应用

■ 半导体硅片PN结的去除

■ PSS 的蚀刻

■ LED 的蚀刻

■ ITO 膜的蚀刻

■ 硅晶片的蚀刻与表面有机物的清洗

1.4设备原理

在真空状态下（约 10~100pa），给气体施加电场同，气体在电场提供的能量下会由气
态转变为等离子体状态（也称物质的“第四态” ），其中含有大量的电子、离子、光
子和各类自由基等活性粒子，比通常的化学反应所产生的活性粒子种类更多、活性更
强，更易于和所接触的材料表面发生反应，等离子体表面改性技术就是利用这些高能
粒子和活性粒子与材料表面发生物理或化学的反应，从而达到改变材料表面性质的目
的。
运用等离子体的特殊化学物理特性，等离子清洗设备的主要用途如下：
1. 去除灰尘和油污、去静电；
2. 提高表面浸润功能，形成活化表面；
3. 提高表面附着能力、提高表面粘接的可靠性和持久性；
4. 刻蚀物的处理作用

一、规格

2.1设备腔体尺寸

整机支架规格
外形尺寸	950×1700×1000mm（宽×高×深）
整机重量	1300KG
真空腔参数
真空腔大小	400400370 mm



真空腔材料	航空铝
极限真空	5Pa
真空腔门	航空铝
真空泵	干泵
技术参数
等离子功率	0~1000W可调，频率13.5MHz
工艺气体	4路，CF4 SF6 O2 N2 Ar H2 等任选
气体流量	0~600SCCM
清洗时间	1~99999秒可调
控制方式	PLC+触控屏
输入电源	AC380V，50/60Hz
冷却方式	风冷
控制方式	可本地控制
检测功能	气压检测、门检测
保护防护	过温防护、过载防护、短路、断路、各种误操作保护

2.2厂务规格要求

厂务规格要求
交流电源规格	电源：AC380V，50/60Hz，5 线，20A

厂务排气

流量：25L/min

材质：耐腐蚀材质

厂务压缩空气要求

0.45~0.55Mpa

2.3 一般规格

一般规格
危险标识	高压危险标识
使用环境	温度：15~30℃ 湿度：30~80%
其他注意事项	不可有可燃性气体，腐蚀性气体，爆炸或反应性粉尘

2.4，设备组成简介

等离子清洗机由反应腔（又称真空腔）、真空系统、放电系统、电控系统、进气流量控制系统组成。本设备采用触摸屏+PLC 可编程控制器，处理参数可以在触摸屏上任意设定，具有手动/自动切换功能。自动操作采用“一键式” ，工作过程完全由计算机自动控制完成。手动操作由用户在手动模式界面上自行完成.（见下图）

一、服务范围

1. 保质期1年，保质期内，在正常使用情况下无偿更换损坏的零部件

2. 若操作在设备不能符合范围内，导致相关零部件损坏，敝公司不负责赔偿责任

3. 遇地震、火灾、台风、海啸等不可抗力灾害导致设备损坏，敝公司不负责赔偿责任

4. 非使用原厂零部件直接或间接造成设备损坏时，敝公司不负责赔偿责任

5. 若因设计不当，造成设备有损坏或瑕疵，敝公司无偿更换瑕疵或损坏的零部件

6. 质保期后，贵公司需自行负责更换零部件所需的耗材及服务费用。

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