镀层附着力处理剂（热镀锌镀层附着力检测方法）

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对比等离子蚀刻，镀层附着力处理剂湿法刻蚀是常用的化学清洗方法，其主要目的是使硅片表面的蒙版图形正确复制到涂胶硅片上，进而达到对硅片特殊区域的保护。自半导体制造业起步以来，硅片制造与湿法刻蚀系统就有着密切的联系。目前的湿法刻蚀系统主要用于除去残渣、漂浮去硅、大型图形刻蚀等，具有设备简单，选材比高，对器件损伤小等优点。

离子刻蚀具有纯度高,定向性、均匀性和重复性好的特点,有很高的刻蚀分辨率(0.01μm),并可通过对离子人射角的控制实现对刻蚀剖面的控制。缺点是:刻蚀速度慢,刻蚀选择性差,刻蚀时会产生再淀积现象。这种极端的刻蚀方法方向性很强,可以做到各向异性刻蚀,但不能进行选择性刻蚀。化学性刻蚀利用等离子体中的化学活性原子团与被刻蚀材料发生化学反应,从而达到刻蚀目的。

高速运动的电子；处于活化状态的中性原子、分子和原子团（自由基）；电离原子和分子；分子解离反应过程中产生的紫外线；未反应的分子、原子等，热镀锌镀层附着力检测方法但物质作为一个整体保持中性。就温度而言，可分为高温等离子体和低温等离子体两种。

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和物理反应相比较，化学反应的缺点不易克服。并且两种反应机制对表面微观形貌造成的影响有显著不同，物理反应能够使表面在分子级范围内变得更加“粗糙”，从而改变表面的粘接特性。

等离子刻蚀技术所用的等离子体是在0.01～1.0的真空中通过辉光放电形成的非平衡低温等离子体，其特点是电离度低。离子通常少于 1%，超过 90% 是中性粒子。自由电子和气体分子之间缺乏热平衡。气体温度仅为50-250°C。在电场的作用下，分子之间会发生电子、离子、中性态和激发态的一系列相互作用（弹性或非弹性碰撞）。在电子与气体分子的弹性碰撞中，只有少量电子能量传递给气体分子，气体温度升高。

稳压电源芯片本身输出不稳定，会产生一定的波动。二是稳压电源不能实时响应负载电流需求的快速变化。整流电源稳压电源芯片感知其输出电压的变化，调整其输出电流，使其恢复到额定输出电压。再次，负载暂态电流对功率路径阻抗和接地路径阻抗产生的压降，引脚和焊盘都有寄生电感，暂态电流流经此通道，必然产生压降。因此，负载芯片功率管脚处的电压会随着瞬态电流的变化而抖动，这就是阻抗发生时产生的功率噪声。

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