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cobplasma刻蚀机(cobplasma表面处理机器)

发表时间: 2022-06-17 06:59:55

作者: 金徕等离子清洗机

来源: 深圳市金徕技术有限公司

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曲线拟合结果表明,cobplasma刻蚀机AR等离子体处理样品的CS高能端峰减少,低能端峰增加,整个CLS峰的能谱变宽,处理后产生新的基团。 .这些可能的基团主要包括CO、C-OH、CO、O-CO、CF-O等含氧基团。 AR等离子体处理后F2311表面的含氧基团显着增加。 AR等离子体处理也可以引入

曲线拟合结果表明,cobplasma刻蚀机AR等离子体处理样品的CS高能端峰减少,低能端峰增加,整个CLS峰的能谱变宽,处理后产生新的基团。 .这些可能的基团主要包括CO、C-OH、CO、O-CO、CF-O等含氧基团。 AR等离子体处理后F2311表面的含氧基团显着增加。 AR等离子体处理也可以引入含氮基团。由于 AR 等离子体处理,背景真空中还含有少量的氧气和氮气。

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该反应产生新的官能团,cobplasma刻蚀机例如羟基 (-OH)、氰基 (-CN)、羰基 (-C = O)、羧基 (-COOH) 或氨基 (-NH3)。 .很快。而这些化学基团是提高附着力的关键。这些官能团在聚合物表面和沉积在这些表面上的其他材料之间提供更好的润湿性和改进的结合,其中羰基在铝层的粘附中起重要作用。

低温等离子净化器是利用等离子以每秒3~5000万次的速度反复撞击恶臭气体分子,cobplasma刻蚀机使废气中的各种成分失活、电离、分解,在一系列过程中产生复合物。通过氧化、多步净化等化学反应,将有害物质转化为洁净空气,自然释放。使用高压通过净化器的苯、甲苯、二甲苯等有机废气分子,在大量平均能量约为5EV的电子的作用下,转化为各种活性粒子,与净化器中的O2结合生成生活空气。增加。 H2O、CO2 等低分子量无害物质可以净化废气。

长期研究表明,cobplasma表面处理机器当一种化学物质吸收能量(热能、光子能、电离)时,其化学成分会变得更加活跃,甚至会破裂。如果吸收的能量大于化学结合能,则化学键可能会断裂。带有能量的自由原子或基团,一方面分解空气中的氧气,然后结合形成臭氧,另一方面,污染物的化学键断裂,形成自由原子或基团;在反应过程中,废气最终被分解氧化成简单而稳定的化合物,如 CO2、H2O 和 N2。

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氧等离子体的化学反应可以将非挥发性有机物转化为挥发性CO2和水蒸气,去除污染物并清洁表面。含氢等离子体可发生化学反应,去除金属表面的氧化层,清洁金属表面。反应气体电离产生的高活性反应颗粒在特定条件下与待清洁表面发生化学反应。反应产物是可以抽出的挥发性物质。选择要去除的物体,合适的反应气体成分很重要。 PE的特点是表面改性,清洗速度快,选择性好,对有机污染更有用。缺点是氧化物的可能性。

高分子材料等材料表面的化学成分在含氧等离子体基团的作用下发生氧化反应,产生大量自由基,在自由基的帮助下进行链式反应。激进的。不仅引入了羧基(COOH)、羰基(C=O)、羟基(OH)等许多含氧基团,而且它们也是通过材料表面的氧的氧化分解而引入的。 , 也进行蚀刻,亲水性大大提高。 (2) 选择非反应性气体的工艺原则 工艺气体为AR、HE、H2等非反应性气体。

问题。为了解决上述问题,并满足对特征尺寸缩小的严格要求,等离子框机可以采用类似于原子层蚀刻的方法。即,首先使用诸如H或He的等离子体蚀刻硅。氮化硅表面处理,表面膜的变化然后,使用诸如稀氢氟酸溶液的湿法蚀刻来选择性地去除变性的表面膜层。由于 H 是轻离子,它不会像 He 那样蚀刻氮化硅膜,并用于膜处理。电容耦合等离子刻蚀机可以通过调整偏置功率和注入时间来调整氮化硅表面膜层的氢浓度和注入深度。

无需溶剂预处理!所有塑料都可以使用!环保!它占用的工作空间非常小!成本就像航空航天,使用等离子蚀刻机改变表面特性并赋予它们粘合特性以润湿塑料表面上的所有东西。两种气体同时,主体通过涂层进入反应室,气体在等离子刻蚀机中聚合。此应用程序比(激活)和清洁要求更严格。典型应用是形成燃料容器的保护层、耐刮擦表面、PTFE 等材料的涂层、防水涂层等。涂层很薄,通常只有几微米,此时表面亲和力非常好。

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与等离子蚀刻机相比,cobplasma刻蚀机水洗通常只是一种稀释过程。与CO2清洗工艺相比,等离子刻蚀机不消耗其他材料。与喷砂清洗相比,等离子蚀刻功能不仅可以在线整合表面突起,还可以处理材料的完整表面结构。不需要额外的空间。运行成本低,环保环保预处理表面处理工艺如下:用于塑料、金属材料、夹层玻璃、纺织、电子产品、新能源、航空等材料的表面活化。

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